| 每日真題精選：國(guó)家電網(wǎng)考試歷年真題匯編（5.8） |
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1、工程實(shí)際中，輸電線路和高壓電器外絕緣在交流電壓下的擊穿發(fā)生在（ ）。
A．正半波
B．負(fù)半波
C．工頻過(guò)零點(diǎn)
D．正負(fù)半波都可能發(fā)生
2、以下帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生和消失形式中哪些可能是促進(jìn)放電發(fā)展的（ ）。
A．定向運(yùn)動(dòng)
B．?dāng)U散
C．復(fù)合
D．負(fù)離子的形成
3、對(duì)于中性點(diǎn)不接地的變壓器星形繞組，如果兩相同時(shí)進(jìn)入侵入波U，在振蕩過(guò)程中出現(xiàn)的中性點(diǎn)最大對(duì)地電位為（ ）。
A．2U/3
B．4U/3
C．2U
D．8U/3
4、50Ω，假設(shè)有一無(wú)窮長(zhǎng)指教電壓波30kv從線路1向線路2傳播，在A點(diǎn)形成的折射波Uq和反射波Uf分別為（ ）。
A．Uq=20kV，Uf=10kV
B．Uq=20kV，Uf=-10kV
C．Uq=40Kv，Uf=10kV
D．Uf=10kV，Uf=-10kV
5、氣體放電的流注理論基本觀點(diǎn)有（ ）。
A.空間電荷畸變電場(chǎng)分布
B空間光電離產(chǎn)生二次電子崩
C.陰極表面電子發(fā)射維持放電發(fā)展
D適用于解釋大氣壓長(zhǎng)空氣間隙氣體放電
參考答案;
1.答案：【A】
玖石教育解析：
設(shè)備絕緣中與空氣接觸的部分叫外絕緣，而不與空氣接觸的部分叫內(nèi)絕緣。（在設(shè)計(jì)絕緣時(shí)，都使外絕緣強(qiáng)度低于內(nèi)絕緣強(qiáng)度，這是因?yàn)橥饨^緣有一定的自然恢復(fù)，而內(nèi)絕緣水平不受空氣濕度與表面臟污的影響，相對(duì)比較穩(wěn)定，但自然恢復(fù)能力較差，一旦絕緣水平下降，勢(shì)必影響安全運(yùn)行）
輸電線路外絕緣和高壓電器的外絕緣都屬于極不均勻電場(chǎng)分布，在估算“導(dǎo)線-大地”氣隙的擊穿電壓時(shí)應(yīng)采用“棒一板”氣隙的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。輸電線路和高壓電器外絕緣形成的不均勻電場(chǎng)可以看成是“棒一板”氣隙。
在工頻交流電壓下測(cè)量氣隙的擊穿電壓時(shí)，通常是將電壓慢慢升高，直至發(fā)生擊穿。升壓的速率一般控制在每秒升高預(yù)期擊穿電壓值的3%左右。在這樣的情況下，“棒-板”氣隙的擊穿總是發(fā)生在棒極為正極性的那半周的峰值附近，可見(jiàn)其工頻擊穿電壓的峰值一定與正極性直流擊穿電壓相近，甚至稍小，這可以解釋為：棒極附近空間電場(chǎng)會(huì)因上一半波電壓所遺留下來(lái)的電荷而加強(qiáng)。
所以正確答案是A。
【考點(diǎn)】
外絕緣、交流電壓下的擊穿
2.答案：【C】
玖石教育解析：
帶電粒子消失：
1）帶電粒子在電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下作定向運(yùn)動(dòng)在到達(dá)電極時(shí)消失于電極上面形成外電路中的電流。
2）帶電粒子因擴(kuò)散現(xiàn)象而逸出氣體放電空間。
3）帶電質(zhì)點(diǎn)復(fù)合。
帶電質(zhì)點(diǎn)復(fù)合
正離子和負(fù)離子或電子相遇，發(fā)生電荷的傳遞而互相中和、還原為分子的過(guò)程。正、負(fù)離子間的復(fù)合概率比離子和電子間的復(fù)合概率大得多。游離主要發(fā)生在強(qiáng)電場(chǎng)，高能量區(qū)，復(fù)合發(fā)生在低電場(chǎng)，低能量區(qū)。復(fù)合過(guò)程要阻礙放電的發(fā)展，但在一一定條件下又可因復(fù)合時(shí)的光輻射加劇放電的發(fā)展。
帶電質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散：
帶電質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散和氣體分子的擴(kuò)散一樣，都是由于熱運(yùn)動(dòng)造成，帶電質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散規(guī)律和氣體的擴(kuò)散規(guī)律也是相似的。電子的質(zhì)量遠(yuǎn)小于離子，所以電子的熱運(yùn)動(dòng)速度很高，它在熱運(yùn)動(dòng)中受到的碰撞也較少，因此，電子的擴(kuò)散過(guò)程比高子的要強(qiáng)得多(電子擴(kuò)散比離子擴(kuò)散高3個(gè)數(shù)量級(jí))。氣體中帶電質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散和氣體狀態(tài)有關(guān)，氣體壓力越高或者溫度越低，擴(kuò)散過(guò)程也就越弱。
負(fù)離子的形成：
附著效應(yīng)，電子和氣體分子碰撞非但沒(méi)有電離出新電子，反而是附著于分子，形成負(fù)離子。負(fù)離子的形成起著阻礙放電的作用。
有些氣體形成負(fù)離子時(shí)可釋放出能量。這類氣體容易形成負(fù)離子，稱為電負(fù)性氣體。(如氧、氟、氯、水蒸氣、SFg等)。氫氣和氨氣不會(huì)形成負(fù)離子。
電子附著系數(shù)：電子行經(jīng)單位距離時(shí)附著于中性原子的電子數(shù)目。
所以正確答案是C。
【考點(diǎn)】
定向運(yùn)動(dòng)、擴(kuò)散、復(fù)合、負(fù)離子的形成
3.答案：【B】
玖石教育解析：
三星形繞組中性點(diǎn)不接地，中性點(diǎn)最大對(duì)地電位：
單相進(jìn)波，中性點(diǎn)最大對(duì)地電位不超過(guò)(2U0/3)；兩相進(jìn)波，中性點(diǎn)最大對(duì)地電位不超過(guò)(4U0/3)；三相進(jìn)波，與單相繞組末端不接地的波過(guò)程相同，中性點(diǎn)最高對(duì)地電位可達(dá)首端電壓的2倍(2U0)。
中性點(diǎn)的穩(wěn)態(tài)電壓:
單相進(jìn)波，中性點(diǎn)的穩(wěn)態(tài)電壓為(Uo/3)。兩相進(jìn)波，中性點(diǎn)的穩(wěn)態(tài)電壓為(2U0/3)。三相進(jìn)波，中性點(diǎn)的穩(wěn)態(tài)電壓為(U0)。
所以答案為B。
【考點(diǎn)】
中性點(diǎn)最大對(duì)地電位
4.
5.答案：【ABD】
玖石教育解析：
流注理論：
流注：這些電離強(qiáng)度和發(fā)展速度遠(yuǎn)大于初始電子崩的新放電區(qū)（二次電子崩）以及它們不斷匯人初崩通道的過(guò)程。 在初始階段，氣體放電以碰撞電離和電子崩的形式出現(xiàn)，但當(dāng)電子崩發(fā)展到一定程度后，某一初始電子崩的頭部積聚到足夠數(shù)量的空間電荷，就會(huì)引起新的強(qiáng)烈電離和二次電子崩。這種強(qiáng)烈的電離和二次電子崩是由于空間電荷使局部電場(chǎng)大大增強(qiáng)以及發(fā)生空間光電離的結(jié)果，這時(shí)放電即轉(zhuǎn)入新的流注階段。流注的特點(diǎn)：電離強(qiáng)度很大和傳播速度很快（超過(guò)初崩發(fā)展速度l0倍以上 )，出現(xiàn)流注后，放電便獲得獨(dú)立繼續(xù)發(fā)展的能力，而不再依賴外界電離因子的作用，可見(jiàn)這時(shí)出現(xiàn)流注的條件也就是自持放電條件。出現(xiàn)流注條件：起始電子崩頭部電荷數(shù)量足以畸變電場(chǎng)造成足夠的空間光電離。（放電發(fā)展的維持條件）
適用范圍：高氣壓、長(zhǎng)間隙下，放電并不充滿整個(gè)電極空間的現(xiàn)象。流注理論的局限：當(dāng)Pd較小時(shí)。此時(shí)，不產(chǎn)生流注，只能使用湯姆遜理論
“C.陰極表面電子發(fā)射維持放電發(fā)展”，是湯遜原理維持放電的條件。
所以答案為ABD。
【考點(diǎn)】
流注理論
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